пятница, 17 апреля 2015 г.

Схемотехника диодных усилителей

Известный радиолюбитель АА1TJ поделился схемой практической конструкции НЧ-усилителя на диодах. Особенностью таких усилителей является уникально низкий уровень шумов на СВЧ.

Принцип работы диодных усилителей

...очень близок к тому, как работают диодные смесители. На параметрический диод, также как и в смесителях, подается два сигнала. При определенном согласовании этих сигналов и правильном выборе режима работы диода удается на нелинейной проводимости или емкости диода осуществить перераспределение мощности поступающих сигналов в пользу одного из них (полезного). Одновременно возможно и преобразование частоты этого сигнала. Параметрические усилители диапазона СВЧ очень сложны в настройке и достаточно нестабильны. На первом этапе развития электроники предпринимались попытки построить диодный усилитель звукового диапазона частот. Главной проблемой подобного усилителя является необходимость источника высокочастотного напряжения для питания такого усилителя. Однако в наше время схемотехника подобного усилителя будет не очень сложной. В качестве нелинейных элементов нужно использовать диоды Шоттки, например, 1N5817. В качестве источника переменного напряжения частотой 240 кГц можно использовать интегральные кварцевые генераторы. Трансформаторы в таком усилителе играют разделительную роль, при соотношении обмоток 1:1, сопротивление катушек по постоянному току 2000 Ом каждая. Используя такую схему можно получить максимальное усиление 36 дБ на один диодный каскад, что при построении двухкаскадной схемы позволит вам собрать очень чувствительный УНЧ.

Ресурсы
  1. Diode Amplifier, Electronic Design Magazine, October 1954, pp. 24-25
  2. Now Diodes Amplify, Radio-Electronics Magazine, November 1954, pp. 94-95
  3. Diode Amplifer, National Bureau of Standards Tech. News Bulletin, Vol. 38, October 1956, pp. 145-147
  4. Solid State Circuits Conference, Digest of Technical Papers; IEEE International, February 1958, Vol. 1, pp. 57-59 
  5. Semiconductor Diode Amplifiers and Pulse Modulators, IRE Trans. on Electron Devices, Vol 6, Issue 3, July 1959, pp. 341-347
  6. IRE Transactions on Electron Devices, Vol. 8, Issue 2, March 1961, pp. 123-131
  7. Diode Amplifier, US Patent 2,879,409, Arthur Holt (National Bureau of Standards)
  8. Semiconductor Circuits, US Patent 2,981,881, H. Abbott and L. Wechsler, (General Electric Co.)
  9. Semiconductor Circuits Utilizing a Storage Diode," US Patent 2,976,429, Ibid
  10. Semiconductor Diode Amplifier, US Patent 2,997,659, Ibid

Комментариев нет:

Отправить комментарий

В комментариях уважайте собеседника, внимательно читайте посты и не додумывайте. Просьбы и предложения из разряда: «можно ваш Skype/Viber/телефон», «напишите мне в vk/FB», а также другие им подобные — игнорируются. Выход новых версий ПО, внешняя ссылка, переставшая работать с течением времени и т.п. не является основанием для претензий. Желающие спокойно подискутировать и высказаться — Welcome. Желающие спонсировать блог — Donate. Нарушение этих простых правил ведет к бану и удалению комментариев без предупреждения.